来源时间：2021年6月

学生姓名: 姜虎辛、邓小菊

指导教师: 张颖

作品简介：

该作品采用PECVD系统在六寸石英圆片上沉积了100nm的金属Al；通过纳米压印技术在金属Al层表面压印制备以纳米压印胶形式存在的纳米光栅；随后使用ICP刻蚀设备对样片进行刻蚀，得到所需的金属Al纳米光栅结构。

创新点：

采用新型图形转移技术-纳米压印技术，选用V15-1500r/min-40s作为纳米压印的工艺参数，可以压印出满足实验要求的压印胶层的纳米光栅结构；ICP刻蚀工艺参数为：BCl3=20sccm，Cl2=30sccm，ICP=250W，RF=100W，pressure=3mTorr，刻蚀60s，可以制备得到Al纳米光栅结构。