姓名：王宏波

职称：讲师

职务：系副主任

联系电话：5952

电子邮件：wanghongbo@neusoft.edu.cn

教育背景：

吉林大学 本科

中科院长春光机所 硕士

东京大学 博士

工作经历：2021年-至今 大连东软信息学院 智能电子学院

论文及著作：

 近年来发表在国际期刊和国内核心期刊上发表了SCI检索4篇。

1. Hongbo Wang，H Sodabanlu，Y Daigo，T Seino，T Nakagawa, M Sugiyama “Initial growth control of GaN on Si with physical-vapor-deposition-AlN seed layer for high-quality GaN templates” Applied Physics Express 9(5):055503(2016)

2. Hongbo Wang，H Sodabanlu，Y Daigo，T Seino，T Nakagawa,M Sugiyama “Effect of initial growth on the quality of GaN on patterned sapphire substrate with ex situ physical vapor deposition AlN seed layer” Japanese Journal of Applied Physics 55(10):105501(2016)

3. Hongbo Wang，H Sodabanlu，Y Daigo，T Seino，T Nakagawa,M Sugiyama “Improved luminescence from InGaN/GaN MQWs by reducing initial nucleation density using sputtered AlN on sapphire substrate” Journal of Crystal Growth 465(1):12-17(2017)

4. C Liu，A Kumamoto，M Suzuki，Hongbo Wang，H Sodabanlu，M Sugiyama，Y Nakano “Effects of hydrogen etching on stress control in AlN interlayer inserted GaN MOVPE on Si” Semiconductor Science and Technology 32(7)(2017)