高PSRR的基准电压源的版图设计
日期:2024-11-12 作者:admin 来源: 浏览量:130
来源时间:2022年6月
学生姓名: 王同
指导教师: 孙晓东
作品简介:
该作品采用中芯国际(SMIC)的0.18umCMOS工艺,设计一款高PSRR的基准电压源。增益能够到达91.6dB,相位裕度为87℃,带宽6MHz。温度范围为-40℃-120℃时的温度系数在不同工艺角下分别为:TT= 12.7 ppm /℃,SS=23.6ppm/℃,FF= 24ppm/℃。其中电源抑制比PSRR在低频100dB,1KHz@74.9dB。启动时间为0.1us,总体功耗为0.55746mW电源调整,率0.6%,稳定输出1.2V。
创新点:
该作品采用反馈的cascode层设计出具有较高的增益、较好的温度系数的基准电压源,其较高的PSRR和稳定性可以为电路供应高精度电压基准。
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